Formación Académica

Formación Complementaria

Experiencia profesional

Áreas de actuación

Líneas de investigación

Reconocimientos

Cursos de corta duración

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, Structure of an Original Article: Title to Conclusion, Finalidad: Mejoramiento de las habilidades como investigador . En: Colombia  ,2018,  ,UNIVERSIDAD DE IBAGUÉ.  participación: Docente , 0 semanas 

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, Structure of a Review Article: Title to Conclusion, Finalidad: Mejoramiento de la habilidades como investigador . En: Colombia  ,2018,  ,UNIVERSIDAD DE IBAGUÉ.  participación: Docente , 0 semanas 

Jurado en comités de evaluación

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, Titulo: ¿CALCULO DEL ESTADO BASE DE UN POZO CUÁNTICO SEMICONDUCTOR DE TIPO CAUCHY EN PRESENCIA DE UN CAMPO ELÉCTRICO" Tipo de trabajo presentado: Proyecto de grado/Tesis en:  UNIVERSIDAD DEL TOLIMA  programa académico Maestría en Física  Nombre del orientado: Huberney Celemín Sánchez  

Par evaluador

Ámbito: Nacional  Par evaluador de: Material para publicación científica  Revista: Revista Facultad de Ingenieria,  2009,  Enero  

Ámbito: Internacional  Par evaluador de: Material para publicación científica  Revista: Latin-American Journal Of Physics Education ,  2010,  Mayo  

Ámbito: Nacional  Par evaluador de: Material para publicación científica  Revista: Respuestas,  2008,  Junio  

Ámbito: Nacional  Par evaluador de: Proyecto  Institución: UNIVERSIDAD DEL TOLIMA,  2014,  Enero  

Eventos científicos

Artículos

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, GERARDO GONZALEZ DE LA CRUZ, JOSE ANTONIO CALDERON ARENAS, "Internal electric-field and segregation effects on luminescence properties of quantum wells" . En: Estados Unidos 
Journal of Applied Physics  ISSN: 0021-8979  ed: AIP (American Institute of Physics) Press
v.98 fasc.N/A p.023501-1 - 023501-4 ,2005,  DOI: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/98/2/10.1063/1.1954889
Palabras:
Pozos cuanticos semiconductores, campo electrico,

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, ALBERTO RUBIO PONCE, RITO DANIEL OLGIN MELO, "Estados de superficie y estados resonantes del Pd (111)" . En: Colombia 
Respuestas  ISSN: 0122-820X  ed: UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER
v.23 fasc.1 p.13 - 18 ,2018,  DOI: http://dx.doi.org/10.22463/0122820X.1324
Palabras:
Estados de superficie,

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, RITO DANIEL OLGIN MELO, ALBERTO RUBIO PONCE, "Electronic band structure of the Pt(1 1 1) surface: An ab initio and tight-binding study ¿ I" . En: Alemania 
Computational Materials Science  ISSN: 0927-0256  ed: Elsevier
v.56 fasc.1 p.141 - 146 ,2012,  DOI: 

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, "Electronic band structure of platinum low¿index surfaces: an ab initio and tight¿binding study. II" . En: México 
Revista Mexicana de Fisica  ISSN: 0035-001X  ed: Unam Universidad Nacional Autonoma De Mexico
v.58 fasc.1 p.46 - 54 ,2012,  DOI: 

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, CESAR MORA LEY, "Estructura electrónica de superficies: estados de superficie y estados resonantes del Calcio" . En: México 
Revista Mexicana de Fisica  ISSN: 0035-001X  ed: Unam Universidad Nacional Autonoma De Mexico
v.52 fasc.6 p.534 - 539 ,2006,  DOI: 
Palabras:
teoria de la estructura del cristal,
Sectores:
Educación - Educación superior,

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, "Bandas de energía, origen y consecuencias" . En: México 
Latin-American Journal Of Physics Education   ISSN: 1870-9095  ed: Instituto Politécnico Nacional
v.1 fasc.1 p.89 - 94 ,2007,  DOI:  http://dx.doi.org/10.1119/1.2895684
Sectores:
Educación - Educación superior,

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, "Effect of giant electric fields on the optical properties of GaN quantum wells." . En: México 
Revista Mexicana de Fisica  ISSN: 0035-001X  ed: Unam Universidad Nacional Autonoma De Mexico
v.53 fasc.4 p.303 - 306 ,2007,  DOI: 
Sectores:
Educación - Educación superior, Desarrollo de nuevos materiales,

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, "Low interface states and high dielectric constant Y2O3 films on Si" . En: Francia 
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures  ISSN: 1071-1023  ed: AIP (American Institute of Physics) Press
v.24 fasc.4 p.1873 - 1877 ,2006,  DOI: 

Textos en publicaciones no científicas

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, ALBERTO RUBIO PONCE, RITO DANIEL OLGIN MELO, "Estructura electrónica de la superficie Au (111)" En: Colombia. 2012. Periódico Digital Ávaconews. ISSN: 2248-843X p.3 - 15 v.1
Areas:
Ciencias Naturales -- Ciencias Físicas -- Física de la Materia,

Otra producción blibliográfica

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, ALEXANDER CORTES SOTO, "NOTAS UNIVERSITARIAS FISICA 1" En: . 2013. p.

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, "Guía de Laboratorio de Física-Matemáticas II" En: . 2018. p.
Palabras:
Electromagnetismo, Calculo diferencial, Física 1,
Areas:
Ciencias Naturales -- Matemática -- Matemáticas Aplicadas,

ALFFER GUSTAVO HERNANDEZ POSADA, HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, "Problemario de Física y Matemáticas I" En: . 2018. p.
Palabras:
Física 1, Calculo diferencial,
Areas:
Ciencias Naturales -- Matemática -- Matemáticas Puras,

HERNAN JAVIER HERRERA SUAREZ, "Guía de Laboratorio de Física-Matemáticas I" En: . 2018. p.
Palabras:
Calculo diferencial, Física 1,
Areas:
Ciencias Naturales -- Matemática -- Matemáticas Aplicadas,

Proyectos

Tipo de proyecto: Investigación y desarrollo 
Estructura electrónica de las superficies de metales de transición con estructura cristalográfica BCC y FCC
Inicio: Enero  2000 Fin: Octubre  2018 Duración 
Resumen

Este proyecto realizará un estudio detallado de la estructura electrónica de bandas de la superficie orientadas en las direcciones cristalográficas (001), (110) y(111) de cristales cúbicos centrados en la cara y en las las direcciones cristalográficas (001)y (110) para cristales cúbicos centrados en el cuerpo de metales de transición. Para este estudio se empleará la aproximación de enlace fuerte con el método de acoplo de la función de Green de superficie. Primero, se estudiará las propiedades electrónicas de volumen de los metales de transición y se comparará estos resultados con los obtenidos por métodos de primeros principios. Se utilizará una base ortogonal de nueve orbitales atómicos,(spd), por átomo en la celda unitaria. Para el estudio de las superficies, se empleará el método de empalme de la función de Green de superficie. Se verificará que la densidad local de estados, proyectada en el volumen, concuerde con los resultados obtenidos para el caso del medio infinito reportado por Papaconstantopoulos (Papaconstantopoulos, 1986). Se presentará un estudio detallado de diferentes estados de superficie y estados resonantes

Tipo de proyecto: Investigación y desarrollo 
Estudio de las propiedades electrónicas de la superficie (111) del V, Cr, Mn y Mo.
Inicio: Enero  2015 Fin: Enero  2016 Duración 
Resumen

Este proyecto realizará un estudio detallado de la estructura electrónica de bandas de la superficie orientadas en la dirección cristalográfica (111) de cristales cúbicos centrados en el cuerpo del V, Cr, Mn, y Mo. Para este estudio se empleará la aproximación de enlace fuerte con el método de acoplo de la función de Green de superficie. Primero, se estudiará las propiedades electrónicas de volumen de los metales de transición y se comparará estos resultados con los obtenidos por métodos de primeros principios. Se utilizará una base ortogonal de nueve orbitales atómicos,(spd), por átomo en la celda unitaria. Para el estudio de las superficies, se empleará el método de empalme de la función de Green de superficie. Se verificará que la densidad local de estados, proyectada en el volumen, concuerde con los resultados obtenidos para el caso del medio infinito reportado por Papaconstantopoulos (Papaconstantopoulos, 1986). Se presentará un estudio detallado de diferentes estados de superficie y estados resonantes característicos de la superficie cristalográfica (111) del V, Cr, Mn, Mo.

Tipo de proyecto: Investigación y desarrollo 
Estudio y modelamiento de los tiempos de captura en pozos cuánticos basados en nitruro de Galio
Inicio: Agosto  2011 Fin proyectado: Agosto  2013 Fin: Agosto  2013 Duración 48
Resumen

El avance en los dispositivos opto electrónicos, ha tenido un creciente interés en la comunidad científica. La mejora en estos dispositivos depende del conocimiento de la dinámica de los portadores en sistemas de baja dimensionalidad. El presente proyecto pretende el estudio y modelamiento de los tiempos electrón-electrón (e-e) y electrón hueco (e-h) de captura en pozos cuánticos basados en Nitruro de Galio. Estos resultados teóricos se confrontaran con resultados experimentales.